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专利名称：栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：马飞,冯光建,蔡永清申请号：CN202010319907.X申请日：20200422公开号：CN111223928A公开日：20200602
摘要：本发明提供一种栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法，该结构包括：第二半导体衬底；位于第二半导体衬底上的键合材料层；位于键合材料层上的FinFET结构，包括：栅极、源极、漏极及栅指，其中源极、漏极及栅指由依次层叠的InAlN势垒层、GaN沟道层及InGaN沟道层形成，其中，0.165
申请人：浙江集迈科微电子有限公司
地址：313100 浙江省湖州兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：贺妮妮
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