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专利名称：一种非易失存储器专利类型：发明专利
发明人：郭万林,戴意涛,周斌,张助华,台申请号：CN200810018850.9申请日：20080128公开号：CN101226772A公开日：20080723
摘要：一种非易失存储器，属非易失存储器。该存储器由绝缘基体(1)，导电层(2)，绝缘层(3)和导电条带(4)组成。制作时，导电层(2)和绝缘层(3)依次生长于绝缘基体(1)之上，并蚀刻一定的沟道，而后对绝缘基体(1)施加拉应变并将导电条带(4)平铺固定于绝缘层(3)上。完成后，撤去拉应变，导电条带(4)就会向上弯曲，远离导电层(2)，或向下弯曲，接触导电层(2)。通过两者的接触与否来实现“ON”和“OFF”两种状态。写入时，当导电条带(4)和导电层(2)加同种电压时，两者分离；当导电条带(4)和导电层(2)加不同电压时，两者接触。这种存储器的尺寸可以由宏观尺度到纳米级别，存储密度可达T/cm，响应速度可达ns。
申请人：南京航空航天大学
地址：210016 江苏省南京市御道街29号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利商标事务所
代理人：柏尚春
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