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专利名称：一种非易失存储器写处理方法及装置专利类型：发明专利发明人：张晓伟,同亚娜申请号：CN201910402323.6申请日：20190514公开号：CN111951860A公开日：20201117
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器写处理方法及装置，该方法包括：在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；确定所述目标编程字线的编程电压补偿量；对所述目标编程字线施加第一编程电压；所述第一编程电压为：预设编程电压与所述编程电压补偿量的差；在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；所述第二编程电压为：所述第一编程电压与第一预设电压增量的和。本发明实施例VT0的分布与VT1的分布类似，避免了因为VT0与其他字线的导通阈值电压差距过大造成的逻辑错误，进而可以避免初始字线WL0中出现写入的数据不能被正确读出的现象发生。
申请人：北京兆易创新科技股份有限公司,西安格易安创集成电路有限公司
地址：100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
国籍：CN
代理机构：北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人：莎日娜
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