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专利名称：P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的
方法
专利类型：发明专利
发明人：陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦申请号：CN201610237267.1申请日：20160415公开号：CN105870186A公开日：20160817
摘要：本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和体区，同时形成PN结器件；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：姚艳
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