专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：薄形硅晶片的制备方法专利类型：发明专利发明人：姚罡,李红军,徐军申请号：CN201010169382.2申请日：20100507公开号：CN102234840A公开日：20111109
摘要：一种薄形硅晶片的制备方法，包括：①制备籽晶、②安装籽晶、③配料、④化料、⑤生长晶体和⑥对所述的带状的硅晶体进行少量加工等步骤，即可获得所需要的薄形硅晶片。本发明从晶体生长过程就控制硅晶体形状和尺寸，减少了晶体加工时的物料浪费和能耗。
申请人：姚罡,李红军,徐军
地址：200129 上海市浦东新区凌河路38弄10号201室
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：张泽纯
更多信息请下载全文后查看
