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专利名称：氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法专利类型：发明专利
发明人：钱凌轩,石雄林,张怡宇,刘兴钊,张万里申请号：CN2018100912.9申请日：20180130公开号：CN108281509A公开日：20180713
摘要：本发明提供一种提高氧化物半导体基光电探测器性能的方法及所得到的氧化物半导体基光电探测器，该方法对基片上的有源层材料表面进行氟元素掺杂，从而填充制备有源层材料过程中产生的氧空位，然后制作电极形成光电探测器，氟元素掺杂使得光电探测器的探测率提高、恢复时间缩短，有源层材料为氧化物半导体；本发明对氧化物半导体薄膜的表面进行氟元素掺杂来填充氧空位，即电极/半导体之间的界面缺陷，进而改善氧化物半导体基光电探测器性能；氟相较于氧具有更大的电负性，能与镓结合形成更为稳定的化学键，即镓‑氟键，因此能更加有效地对氧空位进行填充；氟表面掺杂不会影响到材料内部的晶格结构，且掺杂剂量可控、工艺简单、降低工艺兼容性。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
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