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专利名称：减少在晶片边缘的背面沉积专利类型：发明专利
发明人：克洛伊·巴尔达赛罗尼,安德鲁·杜瓦尔,瑞安·布拉基
埃,尚卡·斯瓦米纳森
申请号：CN201811210262.5申请日：20151221公开号：CN110060941A公开日：20190726
摘要：本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有顶表面，所述顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
申请人：朗姆研究公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海胜康律师事务所
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