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专利名称：基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：张世林,谢荣,郭维廉,毛陆虹,谢生,张兴杰申请号：CN201310756059.9申请日：20131231公开号：CN103762265A公开日：20140430
摘要：本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方法，包括单晶硅LED、栅极氧化SiO层（2）、多晶硅PIN探测器（3）以及P型衬底（12），所述单晶硅LED包括单晶硅LED阳极及其接触区（5）、单晶硅LED阴极及其接触区（6）；设置在P型衬底（12）中的N阱（1）中；所述栅极氧化SiO层（2）采用两层CMOSFET的SiO层结构，作为该互连结构的光波导，其厚度为或；以及所述多晶硅PIN探测器设置于所述栅极氧化SiO层（2）之上，分成了三个区域。本发明可为基于标准CMOS工艺的光互连系统提供一些新的、有益的参考。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：李素兰
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