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专利名称：用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备专利类型：发明专利
发明人：金应荣,朱兴华,贺毅,朱世富,赵北君,栾道成申请号：CN200610020393.8申请日：20060302公开号：CN1834311A公开日：20060920
摘要：一种用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备，是以经过提纯的碘化铅粉末为原料，在专用的安瓿中完成。依次包括清洁安瓿、装料并除气封瓿、生长与冷却四个工艺步骤。该方法能够抑制碘化铅熔体的分解与碘的蒸发，能够排除分凝的铅。与该方法配套的专用安瓿用石英管制作，由封闭端呈“枣形”的籽晶袋(1)、生长室(2)、连通器(3)、铅液管(4)、装料管(5)、挂钩(6)构成组合体。装料后的安瓿放入两段温度区域垂直管式炉中，完成晶体生长过程。该方法制备的单晶体呈现均匀的桔红色半透明状态、应力小，尺寸可达Φ(15～20)×30毫米，刚生长出的单晶体的电阻率可达10Ω·cm～10Ω·cm，因而应用面广，特别适合于制作室温核辐射探测器。
申请人：西华大学
地址：610039 四川省成都市西郊西华大学科技处
国籍：CN
代理机构：成都虹桥专利事务所
代理人：马昌军
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