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专利名称：含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：王金淑,刘伟,周美玲,王亦曼,高涛,李莉莉申请号：CN2006100745.5申请日：20060714公开号：CN18221A公开日：20070103
摘要：一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。含钪扩散阴极是一种具有低温大发射特性的热阴极材料，但是氧化钪价格昂贵，导致阴极成本过高，因此没有获得实际应用。本发明一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极，含有稀土氧化物YO和ScO的复合组分或者稀土氧化物EuO和ScO的复合组分，其中所述稀土氧化物的复合组分占最终得到的掺杂钨粉总质量的3－10％。本发明制备的一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极的电流密度电流密度高达近40A/cm，远高于同温度下钡钨阴极的电流密度，达到了器件对阴极电流密度的要求，并大大降低了原料成本，具有显著的经济效益。
申请人：北京工业大学
地址：100022 北京市朝阳区平乐园100号
国籍：CN
代理机构：北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人：刘萍
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