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专利名称：用于低温磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和
用途
专利类型：发明专利
发明人：许志一,沈保根,张虎,沈俊,孙继荣申请号：CN201110335908.4申请日：20111031公开号：CN103088246A公开日：20130508
摘要：本发明提供一种用于磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途，该稀土-钴-硅材料为以下通式的化合物：(HoEr)CoSi，其中x的范围为0≤x≤1。本发明的稀土-钴-硅材料，特别是ErCoSi和HoCoSi的相变温度分别为5.5K和15K，而磁熵变在各自相变温度附近均高于25J/(kg K)(磁场变化为0-5T)，0-2T时的最大磁熵变超过17J/(kg K)，并具有较大磁制冷能力和良好的热、磁可逆性，是非常理想的低温区磁制冷材料。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村南三街八号
国籍：CN
代理机构：北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：胡剑辉
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