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专利名称：一种TFT阵列基板的制造方法专利类型：发明专利发明人：刘翔,薛建设
申请号：CN201110460545.7申请日：20111231公开号：CN102651340A公开日：20120829
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：通过构图工艺在基板上分别形成包括栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、数据线、保护层以及接触过孔的图形，所述金属氧化物半导体层、源电极、漏电极通过一次构图工艺形成。该制造方法能够简化制作工艺，提高生产效率，降低生产成本，且提高了良品率。
申请人：京东方科技集团股份有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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