的 米 应 - 讲
的很详细
MOS 管勒 效
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米勒效应的影响：
MOSFE的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对 MOSFE的输入电容（主 要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET就会 进入开通状态；当MOSFE开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET 进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达 到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电， Vgs又上升到驱动电压 的值，此时MOSFE进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
由于米勒电容阻止了 Vgs的上升，从而也就阻止了 Vds的下降，这样就会使损 耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而 Vds下降）
米勒效应在MOS区动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应， 在MOS?开通过程中，GS电压上升到某一电压值后 GS电压有一段稳定值，过 后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为， 在MOS 开通前，D极电压大于G极电压，MO资生电容Cgd储存的电量需要在其导通时 注入G极与其中的电荷中和，因 MO究全导通后G极电压大于D极电压。米勒 效应会严重增加MOS勺开通损耗。（MOST不能很快得进入开关状态）
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所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择 MOS寸，Cgd越小开通损耗就越小。米 勒效应不可能完全消失。
MOSFE中的米勒平台实际上就是MOSFE处于“放大区”的典型标志
用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就 是米勒平台。
米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。
理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时 开关时间会拖的很长。一般推荐值加 O.ICiess的电容值是有好处的。 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。
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删荷系数的这张图在第一个转折点处：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和 驱动源的内阻形成一个微分。因为 Vds近似线性下降，线性的微分是个常数， 从而在Vgs处产生一个平台。
米勒平台是由于 mos的g d两端的电容引起的，即 mos datasheet里的 Crss 。
这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候，Vgs 才开始继续上升。
Cgd在mos刚开通的时候，通过 mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分 担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台
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Fig. 12. The rjrqph nf \\! - - 1) 口叮(\"when turn on
to~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet 没通.电流由寄生二极管 Df. t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id
t2~t3: Vds下降.引起电流继续通过Cgd. Vdd越高越需要的时间越长. Ig为驱动电流.
开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大. 下降变慢. t3~t4: Mosfet
完全导通,运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg.
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吋 ----------------------- Hi
平台后期，VGS1续增大，IDS是变化很小，那是因为MOS饱和了。。。，但
是，从楼主的图中，这个平台还是有一段长度的 这个平台期间，可以认为是 MOS正处在放大期。
前一个拐点前：MOS截止期，此时Cgs充电，Vgs向Vth逼进
前一个拐点处：MOS正式进入放大期 后一个拐点处：MOS正式退出放大期，开始进入饱和期。
当斜率为dt的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压)，将会增大电 容内的电流：
I=Cx dV/dt (1)
因此，向MOSFE施加电压时，将产生输入电流Igate = I1 + I2 示。
，如下图所
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,可得到:
I仁Cgdx d(Vgs-Vds)/dt=Cgd x (dVgs/dt -dVds/dt) I2=CgsX d(Vgs/dt)
(2)
(3)
如果在MOSFE上施加栅-源电压Vgs,其漏-源电压Vds就会下降(即使是呈非 线性下降)。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为： Av=- Vds/Vgs
( 4)
将式⑷代入式⑵中，可得： I1=Cgdx (1+Av) dVgs/dt
(5)
在转换(导通或关断)过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为：
Igate=I1+I2=(Cgd x (1+Av)+Cgs) x dVgs/dt=Ceq x dVgs/dt (6)
式中(1+Av)这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电 容反馈。当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。
Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥？ 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平 台恰恰是在这个阶段形成。你可认为：门电流 Igate完全被Cds吸走，而没有 电流流向
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Cg&
当Cgd通过mos放电结束后(即在平台区Cgd先放电然后Vgs给它充电)，MOS 进入了饱和阶段，Vd变化缓慢。虽然Vgs的增长也能够让部分电流流想 Cds,
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但主要的门电流是流向Cgs。门电流的分流比：11 : 12 = Cds : Cgs，看看电 流谁分的多？呵呵 当mos放电结束后，近似地认为门电流全部流过 Cgs，因此：Vgs重新开始增长
在手册中，Ciss=Cgs+Cgd Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
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