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专利名称：一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法专利类型：发明专利
发明人：刘岗,周大荣,孙建荣,蒋敏,孙兵,胡成发申请号：CN201110084413.9申请日：20110406公开号：CN102199773A公开日：20110928
摘要：一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，按照质量百分含量配比如下：氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%和次氯酸钠0.3~0.7%，水50~70%制作腐蚀液，控制腐蚀温度为50~70℃，硅芯在液体中浸泡时间为3~5分钟，然后用纯水漂洗5~7遍，再用纯水煮沸3~5分钟，放入烘箱80~100℃烘干即可，采用了一种新的对多晶硅硅芯进行腐蚀处理，所得硅芯的比较面积达到40~80m，大大高于混酸腐蚀的比表面积，本发明取代传统使用的氢氟酸和混酸腐蚀液，提供了一个安全无污染、高效低成本的硅芯腐蚀新工艺；具有环境污染小、腐蚀成本低、人身无伤害及腐蚀效果好的特点。
申请人：连云港中彩科技有限公司
地址：222000 江苏省连云港市连云区连云经济开发区板桥工业园
国籍：CN
代理机构：南京众联专利代理有限公司
代理人：王彦明
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