（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN2013103578.0 （22）申请日 2013.08.16
（71）申请人 中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
（10）申请公布号 CN104377236B
（43）申请公布日 2017.08.29
（72）发明人 许高博;徐秋霞
（74）专利代理机构 北京维澳专利代理有限公司
代理人 王立民
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种栅堆叠及其制造方法
（57）摘要
本发明提供了一种栅堆叠，包括：衬
底；衬底上的栅介质层以及栅介质层上的栅电极，在栅介质层与栅电极的第一界面处和/或栅介质层与衬底的第二界面处形成有电偶极子，其中，n型器件的电偶极子为La‑O或Ta‑O，p型器件的电偶极子为Ti‑O或Al‑O，所述栅电极为金属栅。在栅介质层与栅电极和/或栅介质层与衬底的界面处形成了电偶极子，电偶极子会使界面处的能级发生变化，使得金属栅的平带电压移动，有利于器件功函数的调整。
法律状态
法律状态公告日
2015-02-25 2015-02-25 2015-03-25 2015-03-25 2017-08-29
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种栅堆叠及其制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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