（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201911334323.3 （22）申请日 2019.12.23
（71）申请人 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
（10）申请公布号 CN111129053A
（43）申请公布日 2020.05.08
（72）发明人 顾学强
（74）专利代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 吴世华
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法
（57）摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器像素
单元结构，设于上下堆叠的上层硅衬底和下层硅衬底上；所述上层硅衬底上设有上层光电二极管，所述下层硅衬底上设有下层光电二极管，所述上层光电二极管与所述下层光电二极管上下对应，且其之间设有光通道；其中，任意一对所述上层光电二极管和所述下层光电二极管分别接收的光信号，在进行光电转换后通过同一像素单元进行信号输出。本发明通过两片CMOS图像传感器
芯片的混合键合，实现了上下像素单元之间的互连，从而可以利用位于下层的光电二极管对近红外入射光线的收集，提高像素单元的量子效率。
法律状态
法律状态公告日
2020-05-08 2020-05-08 2020-06-02
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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