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专利名称：整体晶体的生长方法专利类型：发明专利
发明人：朝日聪明,小田修,佐藤贤次申请号：CN951911.9申请日：19951004公开号：CN1138882A公开日：19961225
摘要：用成分与所生长晶体不同的大直径薄板状晶种10，在晶体生长开始前，使原料溶解于溶剂中形成的溶液12S(或原料熔体12m)下侧的温度高于上侧温度而引起对流，将此状态保持给定时间，利用对流清洗晶种10的表面。此后，按照Bridgeman法或梯度冷冻法开始晶体生长。此时，使晶种10倾斜而在晶种10的表面内形成温度梯度，使得在晶体生长开始时在其表面内温度最低的部位生成晶核，或在晶种10表面的一个地方预先形成微小凹部或微小突起部，从而在此微小凹部或突起部生成晶核。这样，便能高产率地制造优质整体单晶。
申请人：株式会社日本能源
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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