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专利名称：一种高熵氧化物陶瓷的制备方法专利类型：发明专利发明人：刘金铃,刘佃光,赵科申请号：CN201910485418.9申请日：20190605公开号：CN110204328A公开日：20190906
摘要：本发明公开了一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，包括以下步骤：步骤1：按照金属原子摩尔比为1:1:1:1或1:1:1:1:1的比例分别称取4种或5种以下金属氧化物粉体；氧化物粉体包括：MgO、ZnO、NiO、CuO、CaO、CoO、ZrO、CeO、AlO、GdO、LaO、ErO、YO、FeO、CoO、CaCO；步骤2：对步骤1中称取的粉体进行球磨、烘干、造粒；步骤3：将造粒后的粉体进行压制成型，得到生坯；步骤4：将步骤3得到的生坯热处理；步骤5：将步骤4热处理后的生坯升温达到预设温度，对试样施加预设电场强度的电场，出现闪烧后电源由恒压状态转变为恒流状态，在预设电流密度下保温1～60 min，随后淬冷即可得到所需高熵氧化物陶瓷；本发明采用闪烧制备高熵氧化物陶瓷，显著降低烧结温度和缩短烧结时间。
申请人：西南交通大学
地址：610031 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处
国籍：CN
代理机构：成都信博专利代理有限责任公司
代理人：王沙沙
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