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专利名称：基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT专利类型：发明专利
发明人：房玉龙,冯志红,尹甲运,王元刚,盛百城,敦少博,吕元
杰,宋旭波,邢东
申请号：CN201310171111.4申请日：20130510公开号：CN103311288A公开日：20130918
摘要：本发明公开了一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，属于半导体器件。本发明自上而下依次包括盖帽层、势垒层、沟道层、阻挡层、耐压层、集电层、发射极、集电极和凹槽栅极；将凹槽栅极延伸到盖帽层及其以下的部分称为栅根；栅根的深度不小于盖帽层、势垒层、沟道层和阻挡层的深度之和；阻挡层为InAlGaN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。本发明在原有的IGBT中应用特殊结构的凹槽栅极，使得发射区载流子可以沿凹槽栅极的侧壁穿过阻挡层进入耐压区；阻挡层采用大禁带宽度的InAlGaN，可抬高阻挡层势垒，起到天然阻挡层的作用，因而无需在材料外延生长过程中进行阻挡层挖槽，解决了盖帽层、势垒层、沟道层需要二次外延的问题。
申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
地址：050051 河北省石家庄市合作路113号
国籍：CN
代理机构：石家庄国为知识产权事务所
代理人：米文智
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