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专利名称：电容器阵列结构及半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：陈文丽
申请号：CN2018216027.8申请日：20180929公开号：CN208819874U公开日：20190503
摘要：本实用新型提供一电容器阵列结构及半导体器件，通过在器件区上形成有一周边包裹式的主体支撑层，获得平整的电容阵列边界，避免后续沉积填充材料时由于电容阵列边界处不平整而形成裂缝，进而避免裂缝造成的插塞与电容阵列边界间的短路问题，在增加阵列区域的稳定性的同时提高了电容器件的可靠性。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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