改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510719293.3 （22）申请日 2015.10.29

（71）申请人 上海华力微电子有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

（10）申请公布号 CN105304665A

（43）申请公布日 2016.02.03

（72）发明人 田志;顾海芳;陈昊瑜 （74）专利代理机构 上海申新律师事务所

代理人 俞涤炯

（51）Int.CI

H01L27/146;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器

（57）摘要

本发明主要是关于半导体领域的图像传感

器装置，旨在提供了一种改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，提高光电二极管的满阱容量，尤其是改善小尺寸像素单元满阱容量的CMOS图像传感器。主要包括一个第一导电类型的半导体层，和植入在该半导体层顶部的第二导电类型的光电二极管的第一掺杂区，以及一个植入在第一掺杂区周边边缘处的一个闭合环形的第二导电

类型的第二掺杂区，可增加小尺寸像素单元中光电二极管的表面最高电场的宽度，从而增加满阱容量。

法律状态

法律状态公告日

2016-02-03 2016-02-03 2016-04-20 2016-04-20 2019-12-06

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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