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专利名称：外部磁场测定方法及装置，静磁场校正方法和MRI
系统
专利类型：发明专利发明人：后藤隆男申请号：CN02126875.4申请日：20020621公开号：CN1400472A公开日：20030305
摘要：本发明涉及外部磁场测定方法及装置，静磁场校正方法和MRI系统。为了消除在MRI系统中产生的静磁场上的外部磁场的负面影响，用小型线圈来生成补偿磁场。因而，可取消施加到磁性传感器的静磁场元件。于是磁性传感器能高精度检测外部磁场。与高精度检测的外部磁场成正比的校正电流被供给到BO校正线圈。最后，对静磁场产生负面影响的外部磁场被取消。
申请人：GE医疗系统环球技术有限公司
地址：美国威斯康星州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
代理人：黄力行
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