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改善切割晶片良率的固定方法[发明专利]

来源:九壹网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:改善切割晶片良率的固定方法专利类型:发明专利发明人:陈新发

申请号:CN200310112356.6申请日:20031124公开号:CN1621211A公开日:20050601

摘要:本发明是一种改善切割晶片良率的固定方法,其主要:在初胚晶片一面设有UV胶膜,该UV胶膜单面具有黏性,俾直接黏贴于初胚晶片上,而UV胶膜另面则以贴合药水黏着于铝基板上,使初胚晶片固定在基板上,然后施以切割作业,俾完成分割各成品晶片尺寸,然后再对基板施以弯曲变形,使各成品晶片一一剥离;本发明主要藉由UV胶膜与初胚晶片间具弱亲和性,及该UV胶膜与基板间具强亲和性,配合基板可变曲的特性,进而达到容易操作UV胶膜与成品晶片分离的作用,藉由此一技术的革新,使成品晶片大幅提升其良率,及快速方便制造的目的,深具产业利用的价值。

申请人:陈新发

地址:省台北县五股乡成功村成泰路三段267号

国籍:CN

代理机构:厦门市新华专利商标代理有限公司

代理人:朱凌

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