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使用搀杂物和具有受控晶体结构的多层硅薄膜来调整多晶硅薄膜和周围层的应力[发明专利]

来源：九壹网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：使用搀杂物和具有受控晶体结构的多层硅薄膜来调

整多晶硅薄膜和周围层的应力

专利类型：发明专利

发明人：马毅,凯文·L·卡宁厄姆,马吉德·阿里·福德申请号：CN200810214397.9申请日：20080911公开号：CN101436533A公开日：20090520

摘要：在某些实施例中提供了一种用来形成多层硅薄膜的方法。在处理室中放置衬底。通过使包含硅源气体的第一处理气体流进处理室在衬底上形成非晶硅薄膜。通过在第一温度下使包含硅源气体和第一稀释气体混合物的第一处理气体混合物流进沉积室在非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜，第一稀释气体混合物包含H和惰性气体。在某些实施例中，多晶硅薄膜具有<220>方向占支配地位的晶体取向。在某些实施例中，多晶硅薄膜具有<111>方向占支配地位的晶体取向。也提供了包含下部非晶硅薄膜和具有无序晶粒结构或柱状晶粒结构的上部多晶硅薄膜的结构。

申请人：应用材料股份有限公司

地址：美国加利福尼亚州

国籍：US

代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：徐金国

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