您好,欢迎来到九壹网。
搜索
您的当前位置:首页具有提供超分辨率近场效应的掩模层的光学储存介质及相应的制造方

具有提供超分辨率近场效应的掩模层的光学储存介质及相应的制造方

来源:九壹网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:具有提供超分辨率近场效应的掩模层的光学储存介

质及相应的制造方法

专利类型:发明专利发明人:乔基姆·尼特尔申请号:CN200880002221.5申请日:20080121公开号:CN101583999A公开日:20091118

摘要:光学储存介质(1),特别是只读光盘,包含:基板层(2);只读数据层(3),包含坑结构且布置在基板层(2)上;掩模层(4),包含用于提供超分辨率近场效应的纳米颗粒;以及电介质层(5),布置在数据层(3)和掩模层(4)之间。电介质层(5)具有依赖于坑结构而变化的厚度(9、10、12、13),且例如是塑性层,该塑性层具有用于提供纳米颗粒均匀排布的完全平坦表面。对于相应的光学储存介质的制造,有利地通过旋涂将电介质层(5)布置在数据层(3)上。

申请人:汤姆森特许公司

地址:法国布洛涅-比扬库尔

国籍:FR

代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:陶凤波

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Copyright © 2019- 91gzw.com 版权所有 湘ICP备2023023988号-2

违法及侵权请联系:TEL:199 18 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com

本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务