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专利名称:具有提供超分辨率近场效应的掩模层的光学储存介
质及相应的制造方法
专利类型:发明专利发明人:乔基姆·尼特尔申请号:CN200880002221.5申请日:20080121公开号:CN101583999A公开日:20091118
摘要:光学储存介质(1),特别是只读光盘,包含:基板层(2);只读数据层(3),包含坑结构且布置在基板层(2)上;掩模层(4),包含用于提供超分辨率近场效应的纳米颗粒;以及电介质层(5),布置在数据层(3)和掩模层(4)之间。电介质层(5)具有依赖于坑结构而变化的厚度(9、10、12、13),且例如是塑性层,该塑性层具有用于提供纳米颗粒均匀排布的完全平坦表面。对于相应的光学储存介质的制造,有利地通过旋涂将电介质层(5)布置在数据层(3)上。
申请人:汤姆森特许公司
地址:法国布洛涅-比扬库尔
国籍:FR
代理机构:北京市柳沈律师事务所
代理人:陶凤波
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