一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410428614.X （22）申请日 2014.08.27

（71）申请人 上海集成电路研发中心有限公司

地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

（10）申请公布号 CN104183546A

（43）申请公布日 2014.12.03

（72）发明人 胡正军

（74）专利代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 吴世华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法

（57）摘要

本发明提供了一种硅通孔工艺中籽晶层的

形成方法，包括：向硅通孔中进行第一次籽晶层淀积过程，在硅通孔中及其顶部外表面形成第一籽晶层；对第一籽晶层进行回流过程，形成具有光滑表面的第一籽晶层；向硅通孔中进行第二次籽晶层淀积过程，在第一籽晶层表面形成第二籽晶层。由于所制备的籽晶层具有光滑的表面，从而为后续的铜电镀提供了有利条件，有效避免了填充的铜内部产生空洞缺陷，提高了铜电镀工艺

质量，并保证了硅通孔的可靠性。

法律状态

法律状态公告日

2014-12-03 2014-12-03 2015-07-01 2015-07-01 2018-08-10

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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