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专利名称：投射式阴极射线管专利类型：发明专利发明人：森田安一,上原保彦申请号：CN85107083申请日：19850919公开号：CN85107083A公开日：19870311
摘要：这里公开的是投射式阴极射线管，这种管子采用磷光体InBO:TB作为磷光体薄膜以形成磷光体荧光屏。此磷光体薄膜具有30μm至50μm的厚度。对此种阴极射线管，该薄膜极少被烧毁，它的透镜产生的色差极小，而产生的亮度高。
申请人：株式会社日立制作所
地址：日本东京都千代田区神田骏河台4丁目6番地
国籍：JP
代理机构：中国专利代理有限公司
代理人：杨凯
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