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专利名称：降低层间介质层介电常数的方法专利类型：发明专利
发明人：张海洋,王新鹏,洪中山申请号：CN201110340496.3申请日：20111101公开号：CN103094191A公开日：20130508
摘要：本发明提供了一种降低层间介质层介电常数的方法，应用于半导体器件的后段工艺中，该方法包括：预先对层间介质层进行刻蚀，并在其内填充金属互连线形成当层金属互连层；在所形成的当层金属互连层的层间介质层表面打孔。采用本发明能够有效降低集成电路的RC延迟。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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