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专利名称：一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法专利类型：发明专利
发明人：许积文,朱归胜,王华,徐华蕊,张小文申请号：CN201410102318.0申请日：20140319公开号：CN1036578A公开日：20140702
摘要：本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是BiO、BO和SiO中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。
申请人：桂林电子科技大学
地址：541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
国籍：CN
代理机构：桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
代理人：滕杰锋
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