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专利名称：一种SRAM型存储器的纠错电路专利类型：发明专利发明人：刘鑫,赵发展,韩郑生申请号：CN2013102317.0申请日：20131203公开号：CN103617811A公开日：20140305
摘要：本发明提供一种SRAM型存储器的纠错电路，其中，包括：编码模块，第一传输门模块，第二传输门模块和异或操作模块，纠错电路模块。利用编码模块来进行译码操作，添加控制信号，对编码和译码操作进行时分复用。使得电路面积小，同时存储器读写时间快、纠错准确。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京华沛德权律师事务所
代理人：刘杰
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