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专利名称：一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法专利类型：发明专利
发明人：田豫,黄如,卜伟海,周发龙申请号：CN200410049912.4申请日：20040618公开号：CN1595624A公开日：20050316
摘要：本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源漏区，因此可以实现源漏区与沟道区的理想连接，先形成隔离层后形成沟道区，从而可以避免由于后形成“L”型隔离层影响沟道区与源漏区的连接问题。最后，通过侧墙定义形成栅结构，自对准实现源漏。因此可以通过侧墙厚度，准确控制源漏区的位置，从而可以实现真正意义上的准SOI结构。本发明提出的方法工艺实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，易于可以实现真正的准SOI结构。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京君尚知识产权代理事务所
代理人：余功勋
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