一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN201220611687.9 （22）申请日 2012.11.19

（71）申请人 宁波比亚迪半导体有限公司

地址 315800 浙江省宁波市宁波保税区南区庐山西路155号

（10）申请公布号 CN203288598U

（43）申请公布日 2013.11.13

（72）发明人 朱超群;钟树理;陈宇 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET

（57）摘要

本实用新型提出了一种具有终端耐压结构

的沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET在元胞区内和终端区内分别形成有沟槽，终端区的沟槽为至少两个环绕元胞区的封闭的环形沟槽，靠近元胞区的至少一个环形沟槽为隔离环，该隔离环与零电位连接，靠近划片道的至少一个环形沟槽为截止环，该截止环与划片道连接。本实用新型的具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的隔离环与零电位连接，能够有效抑制漏电；截止环与划片道连接，

使载流子不会沿着截止环积累，提高了该终端耐压结构的隔离效果和耐压效果。

法律状态

法律状态公告日

2013-11-13 2013-11-13 2019-12-27

法律状态信息

授权 授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

授权 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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