专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种石墨烯单晶的制备方法专利类型：发明专利发明人：卢维尔,夏洋,赵丽莉申请号：CN2018112834.3申请日：20181031公开号：CN109321973A公开日：20190212
摘要：本发明提供了一种石墨烯单晶的制备方法，包括：对石墨烯单晶基底进行升温；对升温后的石墨烯单晶基底进行预处理，以去除石墨烯单晶基底中的碳杂质；向预处理后的石墨烯单晶基底依次循环通入生长气体、氧化刻蚀气体及惰性气体，使得石墨烯单晶基底上的石墨烯单晶能够生长，形成石墨烯晶粒；其中，在依次循环通入所述生长气体及所述氧化刻蚀气体时，按照预设的气体增长量逐渐增大所述生长气体及所述氧化刻蚀气体的通入量；如此，在生长过程中，因依次循环通入氧化刻蚀气体，可以减小石墨烯的成核密度；每次是按照预设的气体增长量逐渐增大生长气体的通入量，可以在石墨烯单晶的生长过程中，提供足够量的生长气体，提高了石墨烯单晶的生长速率。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京华沛德权律师事务所
代理人：房德权
更多信息请下载全文后查看
