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专利名称：石墨烯层的形成方法专利类型：发明专利
发明人：涂志强,陈俊郎,蔡嘉雄,游秋山,张宗裕,林志诚,刘丙
寅,李信昌,林云跃
申请号：CN201710130750.4申请日：20170307公开号：CN107797378A公开日：20180313
摘要：一种石墨烯层的形成方法包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括：在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括：使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述石墨烯层的形成方法还包括：自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：TW
代理机构：南京正联知识产权代理有限公司
代理人：顾伯兴
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