专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：等离子体离子源以及带电粒子束装置专利类型：发明专利
发明人：大庭弘,杉山安彦,冈部卫申请号：CN201610078273.7申请日：20160204公开号：CN10576A公开日：20160824
摘要：本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的绝缘性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源（14a）具备气体导入室（33）、绝缘构件（38）、等离子体生成室（34）、线圈（39）以及末端电极（36）。气体导入室（33）导入原料气体。绝缘构件（38）被设置在气体导入室（33）的内部。等离子体生成室（34）连接于气体导入室（33）。线圈（39）沿着等离子体生成室（34）的外周卷绕，被施加高频功率。设置有多个贯通孔（36a）的末端电极（36）被配置在气体导入室（33）和等离子体生成室（34）的边界。贯通孔（36a）的大小被形成得比等离子体壳层长度小。
申请人：株式会社日立高新技术
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
更多信息请下载全文后查看
