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专利名称：带隙基准源电路及其基极电流补偿电路专利类型：实用新型专利发明人：王沦
申请号：CN201420779530.6申请日：20141210公开号：CN204331532U公开日：20150513
摘要：本实用新型针对双三极管PN结串联结构的带隙基准源公开了一种基极电流补偿电路，包括镜像待补偿支路电流的第一电流镜，接收镜像的支路电流以采样待补偿三极管的基极电流的采样三极管，以及镜像基极电流并输出给待补偿支路的第二电流镜。保证了补偿的精确性的同时，有效消除基极电流导致的基准电压温度系数较大的现象。本实用新型还公开了包含上述基极电流补偿电路的带隙基准源电路，能在降低运算放大器失调电压的影响的同时也消除了基极电流导致的基准电压温度系数较大的现象。
申请人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
地址：110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号
国籍：CN
代理机构：北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
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