MOS晶体管的测试结构及测试方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410042176.3 （22）申请日 2014.01.28

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN104808126A

（43）申请公布日 2015.07.29

（72）发明人 甘正浩

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 骆苏华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

MOS晶体管的测试结构及测试方法

（57）摘要

一种MOS晶体管的测试结构及测试方法。

所述MOS晶体管包括衬底、源极、漏极以及栅极，所述MOS晶体管的测试结构包括：第一驱动电极，通过第一导电插塞连接至所述源极；第一感应电极，通过第二导电插塞连接至所述源极；第二驱动电极，通过第三导电插塞连接至所述漏极；第二感应电极，通过第四导电插塞连接至所述漏极；第三驱动电极，通过第五导电插塞连接至所述栅极；第三感应电极，通过第六导电插塞

连接至所述栅极。本发明提供的MOS晶体管的测试结构和测试方法，消除了因测试电极的寄生电阻和导电插塞的寄生电阻对测试结果的影响，提高了测试MOS晶体管电阻的精确度。

法律状态

法律状态公告日

2015-07-29 2015-07-29 2015-08-26 2015-08-26 2018-02-16

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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