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专利名称：一种高载流子浓度高迁移率低电阻率ATO纳米粉体
溶胶及纳米粉体的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：刘世民,郭玉,王祉诺,赵东杨,刘婷婷申请号：CN201811160833.9申请日：20180930公开号：CN109231260A公开日：20190118
摘要：本发明公开一种高载流子浓度高迁移率低电阻率ATO纳米粉体溶胶及纳米粉体的制备方法，具体所述纳米粉体粒径尺寸在1～10nm；其具体采用醇沉酸鳌合高pH值二次沉淀法。该方法利用沉淀‑溶解‑沉淀与高碱作用制备ATO纳米粉体，该方法制备的ATO纳米粉体可同时具有高载流子浓度、高载流子迁移率和低电阻率；且不需要改变Sb掺杂浓度，具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。
申请人：大连交通大学
地址：116028 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号
国籍：CN
代理机构：大连东方专利代理有限责任公司
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