场效应晶体管及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110285830.X （22）申请日 2011.09.23

（71）申请人 中国科学院微电子研究所

地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

（10）申请公布号 CN103022084A

（43）申请公布日 2013.04.03

（72）发明人 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 宋焰琴

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

场效应晶体管及其制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种场效应晶体管及其制备

方法。该场效应晶体管包括：衬底；源极和漏极，其中之一形成于衬底上表面的凸起之上，另一个形成于凸起的侧下部的衬底中且其上表面与衬底的上表面齐平；栅极，形成于凸起与衬底上表面交接的位置处；栅极氧化层，形成于栅极与凸起之间、以及栅极与衬底的上表面之间。本发明提供的场效应晶体管为垂直结构，源极位于凸起的顶部，而漏极位于衬底中，源极和漏极不在

同一平面内，因此，场效应晶体管的面积能够得到明显减小，从而提高集成电路的集成度，降低了成本。

法律状态

法律状态公告日

2013-04-03 2013-05-01 2015-10-28

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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