专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：抗击穿漏电流的金属氧化物半导体晶体管及其制造
方法
专利类型：发明专利
发明人：李钧耀,陈锦隆,张伟军,林弘德,黄瀚民申请号：CN201010568106.3申请日：20101129公开号：CN102479720A公开日：20120530
摘要：本发明提供一种抗击穿漏电流的金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，该金属氧化物半导体晶体管包含有第二型基板、第二型基体、抗击穿漏电流结构以及栅极结构，而该制造方法包含：于基板中形成高电压深第一型井区与第一型轻掺杂区，第一型轻掺杂区的第一型掺质浓度大于高电压深第一型并区的第一型掺质浓度，形成具有掺质注入开口的掩模结构，再利用掺质注入开口进行第一型掺质注入而形成抗击穿漏电流结构，抗击穿漏电流结构的第一型掺质浓度大于高电压深第一型井区的第一型掺质浓度，并可利用掺质注入开口进行第二型掺质注入，用以形成第二型基体，在第二型基板上方形成栅极结构。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：彭久云
更多信息请下载全文后查看
