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专利名称：一种P型硅化物热电材料的制备方法专利类型：发明专利发明人：周爱军,李晶泽申请号：CN201010272428.3申请日：20100906公开号：CN101935042A公开日：20110105
摘要：本发明涉及一种P型Mn-Si基硅化物热电材料的制备方法。所述的P型热电材料是以Mn、Si的块材为基本组成，Re、Ge、Sn、Pb元素为取代元素，通过感应悬浮熔炼、球磨和真空热压的方法制备而成。所述的P型热电材料具有较高的热电优值ZT，最高值达到0.6，可作为热电器件的P型端，也可作为溅射法制备硅化物薄膜材料的靶材。本发明所涉及的生产设备成本低、制备工艺简单、可重复性高，有利于规模化工业生产。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
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