减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201210170665.8 （22）申请日 2012.05.29

（71）申请人 上海宏力半导造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

（10）申请公布号 CN103456623A

（43）申请公布日 2013.12.18

（72）发明人 陈宏;许昕睿;方伟;殷冠华

（74）专利代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙)

代理人 张静洁

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法

（57）摘要

本发明涉及一种减少晶圆边缘聚合物沉积

的刻蚀控制方法，包含：步骤1、对于将要进行产生聚合物多的等离子体刻蚀制程的处理腔室，使其至少闲置20-30分钟以处于非工作状态，用于冷却处理腔室；步骤2、在闲置了一段时间的处理腔室内，对晶圆进行产生聚合物多的等离子体刻蚀制程。本发明针对之前进行高功率刻蚀制程、后续又紧接着进行低功率且高聚合物的刻蚀制程的处理腔室，在前后两次刻蚀制程之间，采

用闲置冷却处理腔室一定时间段的方法，能有效减少后一次产生聚合物多的刻蚀制程中在晶圆边缘沉积形成的聚合物，使得晶圆边缘缺失的问题得到改善；并且有效增强刻蚀后晶圆表面的均匀性，提高晶圆的刻蚀效果和产品质量。

法律状态

法律状态公告日

2013-12-18 2014-05-14 2014-08-13 2017-06-30

法律状态信息

公开

专利申请权、专利权的转移 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

法律状态

公开

专利申请权、专利权的转移 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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