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专利名称：薄膜光伏器件专利类型：发明专利发明人：Z·郑,M·王,L·赵申请号：CN201010187272.9申请日：20100413公开号：CN1018669A公开日：20101020
摘要：本发明涉及薄膜光伏电池和制造薄膜光伏电池的方法。制造薄膜光伏电池的方法实例包括提供基板、在基板上形成压印表面和在所述压印表面上沉积一个或多个薄膜光伏层。薄膜光伏电池的实例可包括具有压印表面的基板层，其所述压印表面上设置有一个或多个薄膜光伏层。可以在所述薄膜光伏层上提供填充层。
申请人：霍尼韦尔国际公司
地址：美国新泽西州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
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