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专利名称：存储单元专利类型：发明专利发明人：廖忠志
申请号：CN201410155887.1申请日：20140417公开号：CN1047770A公开日：20150715
摘要：本发明公开了用于存储单元的单元布局，诸如，用于三元内容可寻址存储器（TCAM）。一些单元布局包括阱带结构。单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、以及p掺杂阱。另一个单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、p掺杂阱、以及n掺杂阱。阱带结构可以位于p掺杂阱或n掺杂阱中。可以通过存储单元布局使用具有网的多种金属化层。在一些公开的实例中，第一金属化层可以具有一条、两条或四条接地导线，并且第二金属化层可以具有两条接地导线。可以将这些多种接地导线电连接在一起以形成网。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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