掩膜版及其制作方法

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201810416800.X （22）申请日 2018.05.03

（71）申请人 中芯集成电路(宁波)有限公司

地址 315801 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

（10）申请公布号 CN108611593B

（43）申请公布日 2020.05.19

书

（72）发明人 刘孟彬;罗海龙

（74）专利代理机构 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 高静

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

掩膜版及其制作方法

（57）摘要

一种掩膜版及其制作方法，掩膜版包括：

衬底，包括第一表面以及与第一表面相背的第二表面，衬底内有贯穿衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于第一表面的掩膜图形层，包括相邻的图形区和遮挡区，图形区有至少一个贯穿掩膜图形层的通孔，开口露出图形区且每一图形区与开口相对应；第一牺牲层，位于掩膜图形层背向衬底一侧的遮挡区表面上，第一牺牲层有多个第一开孔，第一开

孔露出图形区且每一图形区与第一开孔相对应；保护层，覆盖第一牺牲层背向图形掩膜层一侧的表面和第一开孔侧壁。本发明掩膜版采用半导体工艺所制成，与传统化学刻蚀方式所制成的金属掩膜版相比，半导体工艺能够提高掩膜版的质量和精准度。

法律状态

法律状态公告日2018-10-02 2018-10-02 2018-10-02 2018-10-30 2018-10-30 2020-05-19

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

掩膜版及其制作方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

掩膜版及其制作方法的说明书内容是....请下载后查看