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专利名称：一种纳米晶及其制备方法与应用专利类型：发明专利发明人：程陆玲,杨一行申请号：CN201710595117.2申请日：20170720公开号：CN109280960A公开日：20190129
摘要：本发明公开一种纳米晶及其制备方法与应用，在包括有阴离子前驱体、阳离子前驱体和含卤素的极性有机化合物的反应体系中进行晶体生长，制备得到所述纳米晶。本发明通过在纳米晶的制备过程中添加含卤素的化合物来控制纳米晶的形貌，加入不同种类的含卤素的化合物，可以得到棒状类、四足类、八面体类、锥体类等不同形貌的纳米晶。本发明还可以通过控制含卤素的化合物的用量、含卤素的化合物的加入方式、成核的反应温度以及成核的反应时间等来控制形貌的变化。本发明方法工艺简单，易于重复。
申请人：TCL集团股份有限公司
地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
国籍：CN
代理机构：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
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