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氮化钽片式薄膜电阻器及其制造方法

来源:九壹网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN201210304258.1 (22)申请日 2012.08.23

(71)申请人 中国振华集团云科电子有限公司

地址 550000 贵州省贵阳市新添大道北段268号附1号

(10)申请公布号 CN102800448B

(43)申请公布日 2015.11.04

(72)发明人 刘剑林;严勇;罗向阳;朱沙;杨舰;张弦;史天柯;刘金鑫;李吉云;韩玉成 (74)专利代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 郑自群

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

氮化钽片式薄膜电阻器及其制造方法

(57)摘要

本发明公开了一种氮化钽片式薄膜电

阻器,包括绝缘基板,分别设置在绝缘基板表面和背面的两块表电极、两块背电极,设置在绝缘基板两端与表电极和背电极连接的端电极,表电极、背电极和端电极表面覆盖有中间电极,中间电极表面覆盖有外部电极,设置在两块表电极之间与表电极连接的电阻层,电阻层表面覆盖有绝缘包封层;所述电阻层是氮化钽薄膜;本发明的氮化钽片式薄膜电阻器具有精度高、电阻温度系数小、耐潮、稳定性高及高频性能好等特点,由于

氮化钽薄膜比其他薄膜产品相比具有更高的稳定性、更低的电阻温度系数、可以在更严酷的自然条件下应用等优点,所以大功率的氮化钽薄膜电阻可以带来更高的经济效益。 法律状态

法律状态公告日

2012-11-28 2013-02-13 2015-11-04

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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