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专利名称：碳化硅半导体装置及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：竹内有一,铃木克己,渡边行彦申请号：CN201780041004.6申请日：20170629公开号：CN109417087A公开日：20190301
摘要：使相邻的p型保护环(21)彼此的间隔全部达到p型深层(5)彼此的间隔以下。由此，p型保护环(21)的间隔增大、即沟槽(21a)变稀疏，由此能够抑制在使外延生长p型层(50)时在保护环部形成得较厚。因此，如果在回蚀时将单元部的p型层(50)去除，则能够在保护环部不留残渣地去除p型层(50)。因此，在对p型层(50)进行回蚀来形成p型深层(5)或p型保护环(21)及p型连接层(30)时，能够抑制p型层(50)的残渣残留在保护环部。
申请人：株式会社电装,丰田自动车株式会社
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：徐殿军
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