LED芯片的制造工艺流程
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离
→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石
刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如图所示:
1、 主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操
作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。
2、 晶圆切割成芯片后,100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目
测。
3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、
测试和分类。
4、 最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000粒芯片,但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒,芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上,附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同,确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。
在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散
晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片或毛片等。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目
前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
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沧浪之水 Wallace 2# 大 中 小 发表于 2008-6-13 12:13 只看该作者
这么齐全。哈哈。贴张图先,其他地方有用,怀疑被黑,上传不
了。
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3# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:30 只看该作者
这两段稀松平常,故而拿出另放置。
沧浪之水 Wallace 外延生长的基本原理是:
在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技
术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
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MOCVD介绍:
金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫
外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
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4# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:34 只看该作者
Wallace
总结性的工艺概括
LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序
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(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工
序、测试工序为后段(Back End)工序。
发短消1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、息 电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基加为好友 当前离线
本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层
电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶
粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或
褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。
4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出
厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。
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5# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:38 只看该作者
LED 制备全流程
- 转载自LED Light -
沧浪之水 Wallace 1.LED芯片检验
镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合
工艺要求电极图案是否完整
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2.LED扩片
由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约
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0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。
3.LED点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED
芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)
工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使用时间都
是工艺上必须注意的事项。
4.LED备胶
和点胶相反,备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上,然后把背部带银胶的
LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶,但不是所有产品均适用备胶工
艺。
5.LED手工刺片
将扩张后LED芯片(备胶或未备胶)安置在刺片台的夹具上,LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处,便于随时更换不同的芯片,适用于需要安装多种芯片的产品。
6.LED自动装架
自动装架其实是结合了沾胶(点胶)和安装芯片两大步骤,先在LED支架上点上银胶(绝缘胶),然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置,再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程,同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴,防止对LED芯片表面的损伤,特别
是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。
7.LED烧结
烧结的目的是使银胶固化,烧结要求对温度进行监控,防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃,烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃,1小
时。绝缘胶一般150℃,1小时。
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时(或1小时)打开更换烧结的产品,中间
不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途,防止污染。
8.LED压焊
压焊的目的将电极引到LED芯片上,完成产品内外引线的连接工作。
LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程,先在LED芯片电极上压上第一点,再将铝丝拉到相应的支架上方,压上第二点后扯断铝丝。金
丝球焊过程则在压第一点前先烧个球,其余过程类似。
压焊是LED封装技术中的关键环节,工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱
丝形状,焊点形状,拉力。
9.LED封胶LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型,选用结合良好的环氧和支架。
(一般的LED无法通过气密性试验)
9.1LED点胶:
TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高(特别是白光LED),主要难点是对点胶量的控制,因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED
的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。
9.2LED灌胶封装
Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧,然后插入压焊好的LED支架,放入烘箱让环氧固化后,将LED从模腔中脱出即
成型。
9.3LED模压封装
将压焊好的LED支架放入模具中,将上下两副模具用液压机合模并抽真空,将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中,环氧顺着胶道进入各个
LED成型槽中并固化。
10.LED固化与后固化
固化是指封装环氧的固化,一般环氧固化条件在135℃,1小时。模压封装一般在150℃,4分钟。后固化是为了让环氧充分固化,同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架(PCB)的粘接强度非常重要。一般条件为120℃,4小时。
11.LED切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的(不是单个),Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上,需要划片机来完成分离工作。
12.LED测试
测试LED的光电参数、检验外形尺寸,同时根据客户要求对LED产品进行分选。
13.LED包装
[ 本帖最后由 沧浪之水 于 2008-6-13 15:40 编辑 ]
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6# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:42 只看该作者
沧浪之水 Wallace 浅谈LED制造工艺流程及细节
作者: 深圳市新亚电子制程股份有限公司李毅
随着20世纪90年代,人类对氮化物LED的发明、LED的效率有了非常快的发展。随着相关技术的发展,在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造
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LED芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的外延片,外延片所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加
发短消工,并对LED毛片进行减薄,划片。然后对毛片进行测试和分选,就可以得到所需息 的LED芯片。由于制作LED芯片设备的造价都比较昂贵,同时也是生产的一个投资加为好重点,具体的工艺做法,不作详细的说明。下面简单介绍一下LED生产流程图,如友 下: 当前离线
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7# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:42 只看该作者
同 上 ----
LED生产流程图
线
(流程工艺) (使用设备)
测试芯片 芯片分选机
¦ ¦
排支架 ( 把芯片固定在支架座)芯片扩张机
¦ ¦
点 胶 点胶机 显微镜
¦QC ¦
固 晶 倒膜机 扩晶机 显微镜 固晶座
¦QC ¦
(*白光 ) 固晶烘烤 烘箱 150C/2H
¦ ¦ ¦
配荧光粉 焊 线 (芯片焊两个电极) 自动焊线机 超声波焊线
机 ¦ ¦ ¦
点荧光粉 *二焊加固锒胶 点胶机 显微镜
¦ ¦(QC白光) ¦
烘烤150C/1H -- *锒胶烘烤 烘箱 电子称 抽真空机 点胶机 显微镜
¦ ¦
*支架沾胶 ( 支架沾胶)点胶机 烤箱 120C/20min
¦ ¦
(下面说明植入工艺) 植入支架 -- 灌胶机 ---- 自动灌胶机
短 烤 -- 烘 箱
离 模 -- 脱模机 ¦
¦
长 烤 烘箱 130C/6H
¦ ¦
- 切 一切模具(冲床)
¦ ¦
测试点数 LED电脑测试机
¦ QC ¦
全切 冲压机及全切模
¦ QC ¦
分光分色 LED分选机
¦ QC ¦
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封口包装 封口机
入库
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8# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:43 只看该作者
同上 ——
一、工艺说明(植入支架)
LED外型环氧树脂封装主要有以下几步:模条预热--吹尘--树脂预热--配胶--搅拌--抽真空--灌胶入支架。
所用物料:支架、LED芯片、锒胶绝缘胶(解冻,搅拌)、晶片(倒膜,扩晶)、金线、锒胶、荧光粉、胶带包装、模条(铝条,合金)、导热硅脂、焊接材料、树脂(AB胶或有机硅胶)、各种手动工具、各种测试材料(如万用表、示波器、电源等)。
二、LED封装技术
LED芯片只是一块很小的固体,它的两个电极要在显微镜下才能看见,加入电流后它才会发光,在制作工艺上除了要对LED芯片的两个电极进行焊接。从而引出正负电极之外。同时还要对LED芯片和两个电极进行保护,因此这就需要对LED芯片
封装。
如:常见直径5mm的圆柱型引脚式封装LED. 这种技术就是将LED芯片粘结在引线架上(一般称为支架)。芯片的正极用金丝键合连到另一引线架上,负极用银浆粘结在支架反射杯内或用金丝和反射杯引脚相连,然后顶部用环氧树脂包封。做成直径
为5mm的圆形外形。
这种封装技术的作用是保护芯片,焊线金丝不受外界侵蚀。固化后的环氧树脂,可以形成不同形状而起到透镜的功能。选用透明的环氧树脂作为过渡。可以提高芯片的出光效率。环氧树脂构成的管壳具有很好的耐湿性,绝缘性和高机械强度,对芯片
发出的光的折射率和透光率都很高。
但对于大功率LED而言,在通电后会产生较大的热量。并且如果用于封装的环氧和金丝的膨胀系数不一样,那么膨胀时就会使金丝拉断或造成焊点接触电阻较大,从而影响了发光器件的质量。特别应注意的是,封装胶会因温度过高而出现胶体变黄,
因此降低了透光度并影响光的输出。
所以我们更应该考虑到LED的长久使用效果。从而应该用有机硅胶材料来封装。如:MOMENTIVE中的XE14—B3445, XE14—B5778 型硅胶就有良好的透光率。
不会随时间而恶化,热膨胀系数非常好,在紫外线照射下稳定性很理想。
这里要注意的问题是,LED使用散热问题。目前散热也是选用铝或铜为散热器,但要特别注意热沉与散热器之间的粘接材料一般应采用导热胶。如果是两个物体的表面接触。中间会有空气,而且空气的导热系数很差。所以在界面之间应有一层导热胶来让它们紧密接触。这样导热效果才会好。如GE的TSE-3081或MOMENTIVE品牌
中的硅脂等都有很好的散热紧密连接的作用.
三、案例说明
1、在LED引脚式封装白光过程中,因为器件的体积较小,点荧光粉是一个难题。有的厂家先把荧光粉与环氧树脂配好,做成一个模子,然后把配好荧光粉的环氧树脂做成一个胶饼,将胶饼贴在芯片上,周围再灌满环氧树脂。但是要注意的是点荧光粉胶时在周围有气泡,而在抽真空时,没有把气泡处理干净。结果在焊接时。将热量传给芯片,使芯片周围的气膨胀,从而把荧光粉胶涨裂;或A、B、胶没有充分混合胶调配不均。因此,使荧光粉胶自己开裂。从而使很多厂家在制造LED白光过程中,大都利用自动化机器进行固晶和焊接线,所做出来的产品质量好,一致性好,非常适
合大规模生产。
2、大功率LED封装过程中,由于点亮时发热量比较大,可以在LED芯片上盖一层硅凝胶,而不可用环氧树脂。这样做一方面可防止金丝热胀冷缩与环氧树脂不一致而被拉断。另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污。环氧树脂在紫外光照射下易分解老化,结果透光性能不好,所以在制作功率LED白光(绿+红+蓝=白光)应用硅凝胶调和荧光粉,而LED芯片底层用硅胶导热,从而大大提高使用寿命。
3、提高白光LED光效作法。目前对蓝光(或紫外光)片芯涂覆荧光粉制作白光LED,这要从材料上,工艺方面进行深入研究,我们提出使用硅胶拌荧光粉涂覆在蓝光芯片上,虽然开始会出现光衰,但是随着点亮时间的延长,又会慢慢提升光通量。从而达到延长使用寿命的目的,另一方面就是人们常说的三基色LED。这是让芯片直接点亮。(不用荧光粉)混合成白光。例如使用红、绿、蓝三种芯片组合成白光(三基
色)。
四、LED的生产环境
制作LED的生产环境要有一万级到十万级的净化车间,并且温度和湿度都可的。LED的生产环境中要有防静电措施,车间内的地板、墙壁、桌、椅等都要有防
静电功能,特别是操作人员要穿上防静电服并戴上防静电手套。
为了尽量降低静电效应给器件带来的破坏和影响,对生产LED的洁净车间、整机
装配调试车间、精密电子仪器生产车间都有严格的环境要求:
(1)地面、墙壁、工作台带静电情况:光刻车间塑料板地面的静电电位约为500 –
1000V扩散间的塑料墙地面为700V,塑料顶棚为0 – 1000V。
(2)工作台面为500 – 2000V,最高可达5KV。
(3)风口、扩散间铝孔板的送风口为500 – 700V。
(4)人和服装可为30KV,非接地操作人员一般可带3 – 5KV,高时可达10KV。
(5)喷射清洗液的高压纯水为2KV,聚四氟乙烯支架有8 – 12KV,蕊片托盘为
6KV,硅片间的隔纸可达2KV。
五、防静电措施。
静电击穿器件使其失效是在不知不觉中发生的,被静电损坏的LED不能用筛选方法排除,所以只有做好预防措施,建立一套防静电(ESD)生产工艺和测试流程规
范。这对提高LED产品质量及成品率是十分关键的。主要的措施包括:
各环节要尽量减少接触这类LED器件的人数,人员不必要的走动,搬推椅
子。
使用导电率好的包装袋来包装LED。
应戴上手套接触LED器件(但不能戴尼龙和橡皮手套)。
取出备用的LED器件后不要堆叠在一起,器件尽量不要互相接触。从包装袋中取
出而暂时不用的器件,应用防静电袋包装起来。
必须用手接触LED的器件时,应接触管壳而避免接触LED器件的引出端。要接
触LED器件前,应将手或身体接―地‖一下,把静电释放干净。
电烙铁要求永久接地。
工作环境的相对湿度应保持在50%左右,不穿容易产生静电的工作服。
车间地面应采用含碳塑料,含碳橡胶或导电乙烯做成,电阻率∩<105欧.cm或用
静电耗散性材料,电阻率应在105欧.cm –109欧.cm之间。
椅子和工作台上应附加一层静电耗散材料,椅子的电阻率应是105欧.cm –108
欧.cm之间。
工作服,棉制工作服有一定的导电性,最好使用防静电服。工作鞋要用静电耗散
型材料做成,电阻率在105欧.cm –108欧.cm之间,也要有防静电鞋。
带上防静电手镯实际上是手镯与手接触,再把手镯接―地‖,这样手与地就成为同
电位,可将人身上的静电释放。
在工作区域使用离子风扇防止静电积累,因为离子风扇送出的负离子能与静电中
和,不会使静电积累成很高电压。
车间里所用的设备都要有良好的接地,接地电阻不能大于10欧。车间入口处一定
要有接地金属球,人进入时先摸金属球,以释放身上的静电。
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9# 大 中 小 发表于 2008-6-13 15:55 只看该作者
LED生产工艺及封装步骤
沧浪之水 Wallace 1.工艺:
a) 清洗:采用超声波清洗PCB或LED支架,并烘干。
b) 装架:在LED管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管
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芯(大圆片)安置在刺晶台上,在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB
或LED支架相应的焊盘上,随后进行烧结使银胶固化。
c)压焊:用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线。
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LED直接安装在PCB上的,一般采用铝丝焊机。(制作白光TOP-LED需要金线
焊机)
d)封装:通过点胶,用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序
还将承担点荧光粉(白光LED)的任务。
e)焊接:如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配工艺之
前,需要将LED焊接到PCB板上。
f)切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。
g)装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。
h)测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。
I)包装:将成品按要求包装、入库。
二、封装工艺
1. LED的封装的任务
是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提
高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。
2. LED封装形式
LED封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸,散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。
3. LED封装工艺流程
4.封装工艺说明
1.芯片检验
镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill)
芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求
电极图案是否完整
2.扩片
由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。
3.点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝
光、绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)
工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使用
时间都是工艺上必须注意的事项。
4.备胶
和点胶相反,备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上,然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶,但不是所有产品均
适用备胶工艺。
5.手工刺片
将扩张后LED芯片(备胶或未备胶)安置在刺片台的夹具上,LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处,便于随时更换不同的芯片,适用于需要安装多种
芯片的产品.
6.自动装架
自动装架其实是结合了沾胶(点胶)和安装芯片两大步骤,先在LED支架上点上银胶(绝缘胶),然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置,再安置在
相应的支架位置上。
自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程,同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴,防止对LED芯片表面的损伤,特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。
7.烧结
烧结的目的是使银胶固化,烧结要求对温度进行监控,防止批次性不良。
银胶烧结的温度一般控制在150℃,烧结时间2小时。根据实际情况可以调
整到170℃,1小时。
绝缘胶一般150℃,1小时。
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时(或1小时)打开更换烧结的产
品,中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途,防止污染。
8.压焊
压焊的目的将电极引到LED芯片上,完成产品内外引线的连接工作。
LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程,先在LED芯片电极上压上第一点,再将铝丝拉到相应的支架上方,压上第二点后
扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球,其余过程类似。
压焊是LED封装技术中的关键环节,工艺上主要需要监控的是压焊金丝
(铝丝)拱丝形状,焊点形状,拉力。
对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题,如金(铝)丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀(钢嘴)选用、劈刀(钢嘴)运动轨迹等等。(下图是同等条件下,两种不同的劈刀压出的焊点微观照片,两者在微观结构上存在差别,从
而影响着产品质量。)我们在这里不再累述。
9.点胶封装
LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型,选用结合良好的环氧和支架。(一般的LED无法通过气密性试验) 如右图所示的TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高(特别是白光LED),主要难点是对点胶量的控制,因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED的点胶还存在荧
光粉沉淀导致出光色差的问题。
10.灌胶封装
Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧,然后插入压焊好的LED支架,放入烘箱让环氧固化后,将LED从
模腔中脱出即成型。
11.模压封装
将压焊好的LED支架放入模具中,将上下两副模具用液压机合模并抽真空,将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中,环氧顺着胶
道进入各个LED成型槽中并固化。
12.固化与后固化
固化是指封装环氧的固化,一般环氧固化条件在135℃,1小时。模压封装
一般在150℃,4分钟。
13.后固化
后固化是为了让环氧充分固化,同时对LED进行热老化。后固化对于提高
环氧与支架(PCB)的粘接强度非常重要。一般条件为120℃,4小时。
14.切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的(不是单个),Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上,需要划片机来完成分
离工作。
15.测试
测试LED的光电参数、检验外形尺寸,同时根据客户要求对LED产品进行
分选。 16.包装
将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。
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大同小异的描述
LED生产厂家的LED生产流程如下:
固晶==》烘烤==》焊线==》封胶==》烘烤==》一切==》后测==》二切==》分光
==》入库
固晶环节:扩晶、排支架、解冻银胶等。
封胶环节:装模条、配胶-》抽真空、支架沾胶、模条灌胶、插支架各工序均不
可少。
上面LED生产厂家的LED的简单生产流程!
1.LED生产厂家的生产工艺:
a) 清洗:采用超声波清洗PCB或LED支架,并烘干。
b) 装架:在LED管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管
芯(大圆片)安置在刺晶台上,在显微镜下用刺晶笔将管芯一 个一个安装在
PCB或LED支架相应的焊盘上,随后进行烧结使银胶固化。
c)压焊:用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线。
LED直接安装在PCB上的,一般采用铝丝焊机。(制作白光TOP-
LED需要金线焊机)
d)封装:通过点胶,用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶,对
固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮
度。这道工序还将承担点荧光粉(白光LED)的任务。
e)焊接:如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配工艺之
前,需要将LED焊接到PCB板上。
f)切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。
h)测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。
I)包装:将成品按要求包装、入库。
评论一篇:LED是否会淘汰CCFL在LCD TV中的应用?
本浪以为:目前绝对不可能。据Displaybank分析:大尺寸LCD显示包括笔记本、台式机显示以及电视机。今年大尺寸LCD背光模块有望出货1800万个,这意味着它还不到整个市场的4%;但是到了2012年这个数值计划增长至1.82亿
个。
多数LED都覆盖一层保护性灌封材料以避免电气和环境损害,同时也可提高光输出并将热量累积减到最少。传统上,灌封材料多半仍由环氧树脂和其它有机材料制成,因为它们的硬度、透明度和低成本比较符合应用需求;然而,随着电子产业渐渐朝更高功率且更高亮度的LED发展,有机硅灌封胶现在反而愈来愈广为使用。有机硅灌封胶不仅比环氧树脂能承受更高的温度,还能适用于无铅回焊工
艺,同时也提供了更高的透光率与更低的吸湿性。
LED技术正式基于背光源的改善而来,将CCFL的普通背光灯用LED发光二极管代替,其实这种技术我们并不陌生,大型演唱会的背景屏幕、室外的广告屏幕、
火车站的电子时刻表大都采用了LED屏幕,这种显示屏只是将LED点阵排列直
接成像,所以清晰度要差很多,与LED背光液晶电视不是一种技术。
目前已经有不少厂家开始研究或推出了LED液晶电视,一时引起了不小的轰动,三星、索尼在国内已经上市了LED背光电视产品,夏普也将在明年推出类似的大屏幕产品,国产品牌海信上个月宣布量产LED液晶电视,LED这个词在近两个月被越来越多的提及,而LED背光液晶电视更是风光无限。那么究竟LED好在哪
里呢?
LED(发光二极管)液晶电视的功能本成像原理与CCFL方式没有本质区别,
好像只是将背光源的种类进行了更改,但带来的变化却是翻天覆地的。
●优势一:色域广
说到显示色彩,CCFL液晶电视的色域窄一直是为业内人士所诟病的地方,发烧友和专业图形人员更青睐于等离子和CRT,可以提供还原准确、色彩真实的图像。而采用RGB三色LED背光的液晶电视则可以轻松达到大于105%的NTSC色域,甚至有些国外研发的高端产品可以达到150%色域,轻松赶超CRT。而CCFL
无论是加入磷还是增加背光灯波长都不能很难好的解决这一问题。
●优势二:更薄
传统CCFL液晶电视由于是透射白光,所以需要加入滤光片来达到滤色成像的目的,而RGB-LED是三色光直接照射,无需滤光片,所以在电视的厚度上可以进一步降低,能够轻松达到传统液晶电视厚度一半的水平。从下面图中就可以直
观的看到这一点。
●优势三:环保
我们都知道白炽灯的工作必须要靠稳定的高电压来保证,传统液晶电视的背光源在原理上与白炽灯比较接近,所以液晶电视标称的几百瓦功率在很大程度上是用于背光照明。但LED的工作电压相对低很多,发光率也更高,所以节电效果明显。某合资品牌的42吋LED液晶电视的工作功率仅60瓦,比150瓦以上的
CCFL液晶节电一半以上,并且屏幕越大效果越明显。
另外常规的CCFL背光灯管在制造中必须要加入汞,众所周知汞是剧毒物质,虽然在使用中不会挥发,一旦搬运过程中发生碰撞使得背光灯损坏,对人身的伤害和环境的污染是相当大的,而且在电视―报废‖后回收也是一件很麻烦的事。
LED通过半导体发光,对环境和节省资源的负面影响自然小很多。
●优势四:寿命更长
背光源寿命问题早已被提出,CCFL背光每年7%的递减使得液晶电视在使用2-3年后亮度会明显的降低,平均寿命在2-3万小时,而LED的平均寿命可以达到
5-6万小时,与液晶面板的寿命近似,省去了更换背光源的麻烦。
既然LED背光有着如此多的优势,是不是代表着传统CCFL液晶电视马上就要
被淘汰了呢?
前面简单介绍了LED背光液晶电视的原理和优势,单单从技术的角度讲,RGB-LED确实是非常理想的背光源,但电视作为终端消费品,直接面对大众的考量,只是在技术方面的领先并不代表着一定能够成功的取得市场和消费者的认
可。
●价格控制困难
请注意,这里说的是价格控制而不是成本控制,LED技术在理论上由于发光单元廉价并且无需滤光片,在成本上要低于CCFL产品。可是目前上市的几款LED产品的价格高到无法接受,索尼70吋LED液晶电视销售价388888元,三星的70吋产品也卖到了279999元,即使是海信刚刚发布的42吋LED产品,也要19999元,要知道这个价位现在足以买一款合资品牌旗舰级别的52吋CCFL液晶电视。并不是产品本身成本有这么高,是厂家要从中收回研发的成本。看来在价格没有
降到与传统产品相仿之前,LED在中国的推广还有很大困难。
●厂家定位困难
LED作为新一代背光源的优势是明显的,从各大厂家争相研发该技术就能看出这一点,不过现在真正着力于推广此类产品的厂家很少,他们更愿意将该技术用于超大屏幕和高端机型上,甚至作为概念产品。这主要是由于各厂家在传统CCFL 液晶模组上投入的成本太大,在没有收回成本之前放弃将是一笔很大的损失。目前国内除了海信的一条LED生产线以外,所有的液晶模组都是基于CCFL背光液晶电视,甚至夏普在造的十代线,都是以传统液晶为主要产品的生产线。厂家在定位上还存在着LED与LCD究竟谁是主推的疑问,自然影响到市场运
作。 技术还不成熟
LED背光相对与CCFL来说还是一项比较新兴的技术,很可能存在还不知道的缺陷,或许只有在一段时间的使用之后才会体现。现在就有一个问题已经越来越多的被提及,那就是RBG-LED由于点阵排列相当密集,在散热上不是非常理想,达不到LED本身超长的寿命。目前比较成熟的LED技术是笔记本液晶显示器上应用较多的白光LED,这种显示方式只是将冷凝式背光灯管换成了白色LED发光二极管,在色彩上对显示效果基本没有提升作用,推广到电视领域意义不
大。
●写在最后:LED是趋势但不会在短期内取代传统液晶电视
LCD液晶显示技术产生、发展至今已经十几年,面板技术日臻完善,只是在背光源问题上一直没有获得完美的解决,就目前来看LED是最理想的方案。不过 LED的真正普及还存在着上述种种问题,想在很快的时间内取代传统CCFL液晶是不可能的。笔者曾就此问题经采访过合资品牌的厂家人员,他们表示在 2009-2010年会考虑量产LED背光液晶电视,但真正全面推广还没有具体计划和时间表。所以有些朋友担心刚刚买的液晶电视马上就会被LED淘汰是没有必要的。
外延前的工序是什么呀
外延的前面,那就是衬底材料的事情了。你可以查阅此帖:
讨论:蓝宝石衬底全球市场和国内局势(技术、研发、流程、市场、发展)
LED外延片工艺流程
同上——
近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III-V族元素所蕴藏的潜能。在目前商品化LED之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目
前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP材料为主。
一般来说,GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解,另外一方面由
动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。
LED外延片工艺流程如下:
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层
生长 - 退火 - 检测(光荧光、X射线) - 外延片
外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P
型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片 - 芯片分检、分级
具体介绍如下:
固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水
淋,产生废水和硅渣。
退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气
发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。 分档检测:为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。此处会产生废品。 研磨:用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的
曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。 清洗:通过有机溶剂的溶解作用,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂
质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
具体工艺流程如下:
SPM清洗:用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很强的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液,并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫
酸。
DHF清洗:用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢
和废氢氟酸。
APM清洗: APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成,硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。 HPM清洗:由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序
产生氯化氢和废盐酸。
DHF清洗:去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。 磨片检测:检测经过研磨、
RCA清洗后的硅片的质量,不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。 腐蚀A/B:经切片及研磨等机械加工后,晶片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀,用混酸溶液去除损伤层,产生氟化氢、NOX和废混酸;腐蚀B是碱性腐蚀,用氢氧化钠溶液去除损伤层,产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A,一部分采用腐蚀B。 分档监测:对硅片进行损伤检测,存
在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光:使用一次研磨剂去除损伤层,一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废
液。
精抛光:使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度,一般去除量1 um以下,从而的
到高平坦度硅片。产生精抛废液。
检测:检查硅片是否符合要求,如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。 检测:查
看硅片表面是否清洁,表面如不清洁则从新刷洗,直至清洁。
包装:将单晶硅抛光片进行包装。
芯片到制作成小芯片之前,是一张比较大的外延片,所以芯片制作工艺有切割这
快,就是把外延片切割成小芯片。它应该是LED制作过程中的一个环节
[ 本帖最后由 Epiwafer 于 2009-8-14 10:29 编辑 ]
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17# 大 中 小 发表于 2009-8-14 10:26 只看该作者
什么是色温?
同上——
色温究竞是指什么? 我们知道,通凡人眼所见到的光线,是由光的三原色(红绿蓝)组成的7种色光的光谱所组成。色温就是专门用来量度光线的颜色成分的。
Epiwafer 用以计算光线颜色成分的方法,是19世纪末由英国物理学家洛德?凯尔文所创立的,他制定出了一整套色温计算法,而其详细界定的尺度是基于以一黑体辐射器所发
出来的波长。
凯尔文以为,假定某一纯黑物体,能够将落在其上的所有热量吸收,而没有损
活力新兵 失,同时又能够将热量天生的能量全部以―光‖的形式开释出来的话,它便会因受到热
力的高低而变成不同的颜色。例如,当黑体受到的热力相称于500—550℃时,就会变
发短加为当前
成暗红色,达到1050一1150℃时,就变成黄色……因而,光源的颜色成分是与该黑体所受的热力温度相对应的。只不外色温是用凯尔文(°K、也就是绝对温度)的色温单位来表示,而不是用摄氏温度(℃)单位表示的。在加热铁块的过程中,玄色的铁在炉温中逐渐变成红色,这便是黑体理论的最好例子。当黑体受到的热力使它能够放出光谱中的全部可见光波时,它就由红转变橙黄色、黄色最后变成白色,通常我们所用灯泡内的钨丝就相称于这个黑体。色温计算法就是根据以上原理,用°K来表示受热钨丝所放射出光线的色温。根据这一原理,任何光线的色温是相称于上述黑体披发出同样颜色
时所受到的―温度‖。
颜色实际上是一种心理物理上的作用。所有颜色印象的产生,是因为时断时续的光谱在眼睛上的反应,所以色温只是用来表示颜色的视觉印象。摄影人都知道:有光
才有色,没有光就没有色。
彩色胶片的设计,一般是根据能够真实地记实出某一特定色温的光源照明来进行的,分为5500 °K日光型、3200 °K灯光型等多种。因而,摄影家必需懂得采用与光源色温相同的彩色胶卷,才会得到正确的色彩再现。假如光源的色温与胶卷的色温互相不平衡,就不会对色彩进行正确的还原。这时,我们就要靠滤光镜来晋升或降低光源
消息
好友
离线
的色温,使曝光前提与胶卷拟定的色温相匹配,才会有正确的色彩再现。而数码照相机、摄像机等要求进行白平衡调整,实际上也就是对数码机器进行拍摄环境的基础色
温定位。目的是同样的:为了色彩的正确再现。
如何正确地进行色温定位?这就需要使用到―色温计‖啦。一般情况下,正午10点至下战书2点,晴朗无云的天空,在没有太阳直射光的情况下,尺度日光大约在5200~5500°K。新闻摄影灯的色温在3200°K;一般钨丝灯、照相馆拍摄黑白照片使用的钨丝灯以及一般的普通灯泡光的色温大约在2800°K;因为色温偏低,所以在这种情
况下拍摄的照片扩印出来以后会感到色彩偏黄色。而一般日光灯的色温在7200~8500°K左右,所以在日光灯下拍摄的相片会偏青色。这都是由于拍摄环境的色温与拍摄机器设定的色温分歧错误造成的。一般在扩印机上可以进行调整。但假如拍摄现场有日光灯也有钨丝灯的情况,我们成为混合光源,这种电影很难进行调整。 综上所述,拍摄期间对色温的考量、设定以及调整就显得非常重要。不管你是使
用传统相机仍是数码相机以及摄像机。都必需正视色温!
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18# 大 中 小 发表于 2009-8-14 10:27 只看该作者
什么是光谱?
Epiwafer 同上——
光谱是复色光经由色散系统(如棱镜、光栅)分光后,被色散开的单色光按波长(或
活力新兵
频率)大小而依次排列的图案。
光波是由原子内部运动的电子产生的.各种物质的原子内部电子的运动情况不同,所以它们发射的光波也不同.研究不同物质的发光和吸收光的情况,有重要的理论和实际意义,已成为一门专门的学科——光谱学.下面简朴先容一些关于光谱的知
识.
发短
消息
加为 分光镜观察光谱要用分光镜,这里我们先讲一下分光镜的构造原理.图6-18是分
光镜的构造原理示意图.它是由平行光管A、三棱镜P和千里镜筒B组成的.平行光
处。从狭缝射入当前管A的前方有一个宽度可以调节的狭缝S,它位于透镜L1的焦平面①
的光线经透镜L1折射后,变成平行光线射到三棱镜P上。不同颜色的光经由三棱镜沿不同的折射方向射出,并在透镜L2后方的焦平面MN上分别会聚成不同颜色的像(谱线)。通过千里镜筒B的目镜L3,就看到了放大的光谱像.假如在MN那里放上照相
底片,就可以摄下光谱的像。具有这种装置的光谱仪器叫做摄谱仪。
发射光谱物体发光直接产生的光谱叫做发射光谱。发射光谱有两种类型:连续光
好友
离线
谱和明线光谱.连续分布的包含有从红光到紫光各种色光的光谱叫做连续光谱(彩图6)。炽热的固体、液体和高压气体的发射光谱是连续光谱。例如电灯丝发出的光、炽
热的钢水发出的光都形成连续光谱。
只含有一些不连续的亮线的光谱叫做明线光谱(彩图7)。明线光谱中的亮线叫做谱线,各条谱线对应于不同波长的光。淡薄气体或金属的蒸气的发射光谱是明线光谱。明线光谱是由游离状态的原子发射的,所以也叫原子光谱。观察气体的原子光谱,可以使用光谱管(图6-19),它是一支中间比较细的封锁的玻璃管,里面装有低压气体,管的两端有两个电极。把两个电极接到高压电源上,管里淡薄气体发生辉光
放电,产生一定颜色的光。
观察固态或液态物质的原子光谱,可以把它们放到煤气灯的火焰或电弧中去烧,
使它们气化后发光,就可以从分光镜中看到它们的明线光谱.
实验证实,原子不同,发射的明线光谱也不同,每种元素的原子都有一定的明线光谱.彩图7就是几种元素的明线光谱。每种原子只能发出具有本身特征的某些波长的光,因此,明线光谱的谱线叫做原子的特征谱线。利用原子的特征谱线可以鉴别物
质和研究原子的结构。
吸收光谱高温物体发出的白光(其中包含连续分布的一切波长的光)通过物质时,某些波长的光被物质吸收后产生的光谱,叫做吸收光谱。例如,让弧光灯发出的白光通过温度较低的钠气(在酒精灯的灯心上放一些食盐,食盐受热分解就会产生钠气),然后用分光镜来观察,就会看到在连续光谱的背景中有两条挨得很近的暗线(见彩图8.分光镜的分辨本领不够高时,只能看见一条暗线)。这就是钠原子的吸收光谱.值得留意的是,各种原子的吸收光谱中的每一条暗线都跟该种原子的发射光谱中的一条明线相对应.这表明,低温气体原子吸收的光,刚好就是这种原子在高温时发出的光.因此,吸收光谱中的谱线(暗线),也是原子的特征谱线,只是通常在吸
收光谱中看到的特征谱线比明线光谱中的少.
Epiwafer TOP
19# 大 中 小 发表于 2009-8-14 10:30 只看该作者
LED晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。它有N种组成形式:主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
活力新兵
LED晶片的分类 1、按发光亮度分:
A、一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等 B、高亮度:VG﹑VY﹑SR等
C、超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等
发短
消息
加为当前
D、不可见光(红外线):R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
E、红外线接收管:PT F、光电管:PD 2、按组成元素分: A、二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等
B、三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR﹑HR﹑UR等
C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑
HE、UG
LED晶片特性表:
LED晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长
(nm)
SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595 SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610 DBK较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620 SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620 DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮红色AlGalnP 630
DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635
PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655 SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660 G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660 VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660 UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697 Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850 VY较亮黄色GaAsP/GaP 585 SIR红外线GaAlAs 880 UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940 UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940
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