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专利名称：适合高速IC-QFN封装设计应用的寄生参数提取方
法
专利类型：发明专利
发明人：郑若彤,蒋乐乐,程玉华申请号：CN201310637290.6申请日：20131203公开号：CN104679929A公开日：20150603
摘要：本发明公开一种适合高速IC-QFN封装设计应用的封装寄生参数提取方法，用以提取封装结构中引线框架和键合金属线的电学参数。其步骤是：建立不同设计尺寸的QFN封装三维物理模型；在一定的频带范围内，采用电磁场全波分析方法提取QFN封装结构的散射参数；建立引线框架和键合线的等效电路模型；利用提取的散射参数拟合出该等效电路模型中的RLC集总参数；归纳整理引线框架和键合金属线在不同设计情况下的电学参数数据列表；通过数据分析及拟合算法建立电学参数有关物理参数变化的数学模型；最后可提取任意尺寸下的寄生电学参数。本发明具有设计思路简单清晰，在建立模型后，可不经由软件仿真而直接提取引线框架和键合金属线任意尺寸下的电学寄生参数，因而提高封装设计的灵活性。
申请人：上海北京大学微电子研究院
地址：201203 上海市浦东新区盛夏路608号
国籍：CN
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